2023年9月20日，上海凯发半导体有限公司（简称“凯发半导体”）宣布，基于砷化镓（GaAs）衬底的集成无源器件（Integrated Passive Device, IPD）IP3PI工艺平台开发完成。凭借高Q值、高集成度和高耐压等优异的特征，满足当前市场对射频前端功能不断优化的要求。该工艺平台可以提供高可靠性、更优性能、更小体积以及更低成本的无源代工产品，助力客户在无线通信、微波和毫米波通信等领域获得更好的应用效果。

凯发半导体GaAs IPD 工艺平台典型无源元器件示例

IP3PI工艺平台是一种三层金属互联结构的集成无源器件平台，使用低介电材料作为电容和电感边缘的填充层，在增加电容和电感耐压的同时，还不会降低电容密度。该平台可以为客户提供28V（IP3PI13）和50V（IP3PI12）两种工作电压选择，也就是说，客户可以根据实际需求灵活地选择190 pF/mm2 或150 pF/mm2的电容设计，从而满足不同需求。此外，该平台还可以提供50Ω标准方块电阻和0.5Ω小方块电阻以及电感等无源器件来实现紧凑的设计。

凯发半导体GaAs IPD工艺平台典型关键参数

当今的射频器件领域，由于产品集成度不断提升以及工作频段的不断提高，对系统级封装技术也提出了更高的需求，功能电路需要以系统级封装的形式将不同的电路集成到一起，凯发半导体高Q无源集成工艺平台在6吋砷化镓衬底上，形成不同的器件，从而实现各种无源元件的高密度集成，大大节省了电路面积。该工艺平台不仅达到了50V工作电压下的工作寿命>1.0E+06小时的行业要求，同时也通过了更为严苛的环境应力（TC、HAST）测试，使得该工艺平台对终端产品的适用性得到了极大的拓展。相比传统的无源器件工艺，IP3PI工艺平台可为射频系统级封装(SiP)提供高性价比的方案。

凯发半导体GaAs IPD工艺平台横截面图

得益于更高应用频率的需求和微波毫米波技术的推动，射频前端产品市场持续稳定增长。凯发半导体将充分发挥公司的先进制造和技术资源优势，为客户提供更卓越、更丰富的射频代工解决方案和服务，并助力客户开辟化合物半导体更广阔的应用前景。